برق 23. مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری
مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری
چکیدهدر این مقاله، در مورد چالشهای مختلف کار در ناحیه زیرآستانه ای در مدارهای با فناوری CMOS 65 نانومتر، بحث می شود. مدارهای گوناگونی برای یافتن بهترین آرایش در ناحیه کاری زیرآستانه ای مورد بررسی قرار می گیرد و در کار با ولتاژهای تغذیه بسیار پایین شبیه سازی می گردد. برای پشتیبانی از مباحث نظری انجام شده، آرایشهای گوناگون مداری مورد آزمایش و شبیه سازی قرار می گیرد. جنبه های گوناگون مدارهای فلیپ فلاپ با جزییات تشریح می شود تا بهترین توپولوژی برای استفاده در ولتاژهای تغذیه بسیار پایین و کاربردهای بسیار کم توان بررسی شود. نتایج شبیه سازی نشان می دهد مصرف توان در مدارهای پیشنهادی این مقاله، مقایسه با دیگر فلیپ فلاپ ها حداقل 23% کاهش می یابد. همچنین زمان راه اندازی و زمان نگهداری نیز بهبود می یابد.
نانومکاترونیک
نانومکاترونیک
پاورپوینت 22 اسلاید
شامل
تعریف مکاترونیک
میدان تنوع مکاترونیک
نانو چیست؟
فناوری نانو
یک نانو متر چقدر است؟
تاریخچه ی مکاترونیک و نانو
چرا کوچک سازی؟
اثر افزایش سطحی
ساخت ساختار نانو مقیاس
نانو الکترونیک
نانو مکانیک
نانو مکاترونیک
نانو رباتها در پزشکی
نحوه عملکرد نانو رباتها
منبع انرژی نانو رباتها
معایب نانو رباتها
نانو جراحی
نانو ربات ربات های خود تخریب
منابع
