برق 131. مدلسازی ماشینهای سنکرون با اشباع مغناطیسی

مدلسازی ماشینهای سنکرون با اشباع مغناطیسی
چکیده: این مقاله سروکار دارد با یک روشی برای استنتاج مدلهای چندگانه ماشینهای سنکرون روتور دوار اشباع شده بر اساس انتخابات گوناگون متغیرهای فضای حالت. با بررسی و ملاحظه جریانها و شارهای ماشین بصورت بردارهای فضایی، مدلهای d-q ممکن بحث می شوند و تعدادی به اندازه کافی بدست می آید. به عنوان یک نتیجه چندین مدل جدید بدست می آیند و ارائه می شوند. نشان داده می شود که تعداد کل مدلهای d-q برای یک ماشین سنکرون با دمپرهای پایه ، 64 مدل می باشد و بنابراین خیلی بیشتر از شناخته شده هاست. مدلهای بدست آمده در سه گروه دسته بندی می شوند. مدلهای جریان، شار و ترکیبی. این مقاله با مدل ترکیبی بخش اصلی را ایجاد می کند و بنابراین یک انتخاب بیشتری را پیشنهاد می کند. مقاله همچنین با توجه به اشباع مغناطیسی یک روشی را برای محاسبه متغیرهای فضای حالت ارائه می کند. روش شامل مدل دقیق اشباع با جریانهای سیم پیچی به عنوان متغیرهای حالت و استخراج کلیه مدلهای دیگر از آن با استفاده از دست کاری روابط معمول ریاضی می باشد. مقاله قابلیت و توانایی روش  پیشنهادی برای ایجاد هر مدل موجود را بدون استثنا تایید می کند. یک کاربرد برای صحت و اعتباربخشی روش و تعادل بین همه مدلهای ایجاد شده شرح داده می شود. 

برق 151. شبیه سازیMATLAB ماشین القایی با اندوکتانسهای نشتی و مغناطیسی قابل اشباع

شبیه سازی MATLAB ماشین القایی با اندوکتانسهای نشتی و مغناطیسی قابل اشباع 
چکیده :       در جریانهای بالای فاز استاتور ، تاثیر اشباع اندوکتانسهای نشتی رتور و استاتور بطور  قابل ملاحظه ای وسیع خواهد بود که مدل مرسوم ماشین از نشان دادن کارکرد دینامیکی ماشین های القائی عاجز می باشد . در این مقاله ، یک بسته نرم افزار تجاری MATLAB ، برای شبیه سازی رفتار دینامیکی ماشین القائی با اندوکتانسهای قابل اشباع مورد استفاده قرار گرفته است . نتایج کامپیوتری ارائه  شده در این مقاله وجود خطا را وقتی که اندوکتانسهای نشتی و مغناطیسی رتور و استاتور در مدل مرسوم ماشین  ثابت فرض شده اند را نشان می دهد .
واژه های کلیدی : نشتی رتور ، اندوکتانس ، MATLAB ، ماشین القائی .

برق 147. مدل دینامیکی تعمیم یافته VSC MTDC برای مطالعات پایداری سیستم قدرت

مدل دینامیکی تعمیم یافته VSC MTDC برای مطالعات پایداری سیستم قدرت
چکیده: در این مقاله، یک مدل کلی جدید مبدل منبع ولتاژ جریان مستقیم ولتاژ بالا (VSC MTDC) با استفاده از روابط ریاضی استخراج می شود. مدل کامل سیستم، شامل مبدل و کنترلرهایش، معادلات جریان DC و معادلات کوپلینگ می باشد. سهم اصلی مدل جدید این است که برای هر توپولوژی ممکن جریان DC معتبر است. پیاده سازی عملی مدل در نرم افزار پایداری سیستم قدرت به تفصیل بحث می شود. معادلات تعمیم یافته DC می توانند در کل بر حسب ماتریس هایی که با ساخت ماتریس ادمیتانس باس DC ایجاد می شوند بیان گردند. در ابتدا، برای یک محاسبه ساده یا محاسبه مجدد ماتریس ادمیتانس باس DC ، عمل های سوئیچ زنی بدست آمده در توپولوژیهای مختلف و شبیه سازی مقدار تلفات خطوط DC محاسبه می شود. مدل در نرم افزار MATLAB‌ پیاده سازی می شود. مثالها در یک سیستم دو و شبکه ترمیناله نشان می دهد که مدل جدید در واقع قادر به شبیه سازی دقیق سیستم های VSC MTDC با توپولوژی دلخواه می باشد.

برق 19. جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری

جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتریچکیده در این مقاله، جمع کننده کامل (FA) نوینی ارائه می‌گردد که برای عملکرد با توانهای بسیار پایین بهینه سازی شده است. مدار مذکور، بر پایه گیتهای XOR اصلاح شده‌ای طراحی گشته که با هدف کمینه سازی مصرف توان در ناحیه زیرآستانه‌ای عمل می کنند. نتایج شبیه سازی شده با مدلهای استاندارد CMOS 65 نانومتر انجام شده است. نتایج شبیه سازی، یک بهبود 5 تا 20 درصدی را در بازه فرکانسی 1Khz تا 20MHz و ولتاژهای تغذیه زیر 0.3V نشان میدهد. مقدمه تغییر مقیاس ولتاژ تغذیه  یکی از موثرترین راهها در کاهش مصرف توان مدارهای دیجیتال است. کارایی این روش بعلت وجود رابطه درجه دوم میان مصرف توان دینامیک و ولتاژ تغذیه می باشد. اما در این روش، عملکرد مدار به خاطر رابطه معکوس تاخیر مدار با سطح جریان کاهش می یابد. به همین علت، ولتاژ آستانه را در فرایندهای زیرمیکرونی عمیق برای رفع این مشکل کاهش می دهند. کاهش ولتاژ آستانه، منجر به افزایش نمایی جریان زیرآستانه  می‌گردد که امکان استفاده از این ناحیه (زیرآستانه) را در مدارهای منطقی ارزیابی   - با کران نویز قابل قبول - می دهد. بدون اعمال روشهای خاص، عملکرد زیرآستانه ای سبب کاهش سرعت پاسخگویی (به سبب کاهش جریان) می شود. جریان مورد ارزیابی در این حالت، جریانی است که در ولتاژ گیت –سورس کوچکتر یا مساوی ولتاژ آستانه و ولتاژ تغذیه نزدیک به ولتاژ آستانه رخ می دهد. همانطور که در شکل 1 مشاهده می شود، نسبت I_on (وقتی ترانزیستور در حال ارزیابی است) به I_off (وقتی ولتاژ گیت-سورس صفر یا نزدیک صفر است) در مقایسه با Ion/Ioff در ولتاژهای تغذیه‌ی بالا، کوچکتر است. با این حال، در کاربردهای با مصرف توان بسیار پایین (مثل ایمپلنتها یا حسگرهای بدون سیم)، سرعت کاری دغدغه اصلی طراحی نیست، زیرا قیود پهنای باندی در این موارد با مسامحه اعمال می گردد. برای این کاربردها، مهمترین هدف طراحی بهینه سازی بمنظور مصرف توان پایین است. جمع دو بیت A و B با بیت نقلی Cin، بیت SUM (مجموع)  و بیت خروجی نقلی Cout را تولید می‌کند. 

برق 45. استفاده از الگوریتم جستجوی جمعیت مورچگان برای قیمت گذاری توان راکتیو در بازار آزاد برق

استفاده از الگوریتم جستجوی جمعیت مورچگان برای قیمت گذاری توان راکتیو در بازار آزاد برق
چکیده- برای انتقال توان حقیقی و تامین امنیت شبکه قدرت، مدیریت توان راکتیو ضروری است.در بازار برق ارائه یک روش صحیح و ممکن برای قیمت دهی توان راکتیو دارای اهمیت است. در مدل های مرسوم پخش بار بهینه، هزینه تولید توان راکتیو در نظر گرفته نشده است. در این مقاله هزینه تولید توان راکتیو و هزینه سرمایه گذاری بانک های خازنی در تابع هدف مساله OPF گنجانده شده است.  لذا، با استفاده از الگوریتم جستجوی جمعیت مورچگان، مساله بهینه حل شد. برای محاسبه هزینه توان اکتیو و راکتیو در هر باس در بازارهای رقابتی برق، از نظریه قیمت نهایی استفاده شد. اعمال روش ارائه شده روی سیستم 14 باس  IEEE اعتبار و کارایی آن را به اثبات می رساند. نتایج بدست آمده از چندین مورد مطالعه ای نشان دهنده تاثیر عوامل مختلف روی قیمت توان راکتیو است.