۲-طراحی الگوریتمهای جدید و کامل و توسعه نرم افزارهای مربوط به آنها برای راحتی کار کاربران که در واقع توسعه این نرمافزارها میتواند باعث کاهش هزینهها، صرفهجویی در وقت و بالا بردن سرعت و دقت عیبیابی برای کاربران شود.
۳-توسعه سختافزارهای ساده و کم هزینه برای مونیتورینگ پیوسته ترانس
۴-توسعه نرم افزارهای جدید برای عیبیابی با استفاده از تکنیکهای چون شبکه عصبی، منطق فازی و غیره و…. به عنوان یک ابزار بسیار مفید در زمینه عیبیابی
مقدمه
فصل اول
بررسی و ارزیابی وضعیت داخلی ترانسفورماتورها در حین انجام وظیفه و بررسی کلی تستهای مربوطه برای ارزیابی
۱-۱) ارزیابی کلی
۱-۲) کنترل و مدیریت طول عمر ترانسفورماتور
۱-۳) روشهای تست و مونیتورینگ
۱-۳-۱) روشهای سنتی
۱-۳-۲) تست کردن فاکتورهای قدرت
۱-۳-۳) مقاومت سیم پیچی ها
۱-۳-۴) ترموگرافی
۱-۳-۵) تست PD در حین سرویس
۱-۳-۶) اندازه گیری ولتاژ بازیافتی
۱-۳-۷) تست یا مونیتورینگ عایق روغنی سیم پیچی ها
۱-۳-۸) مونیتورینگ تب چنجر
۱-۳-۹) اندازه گیری دمای داخلی روغن
۱-۳-۱۰) اندازه گیر POWER FACTOR به صورت ONLINE
۱-۳-۱۱) شناسایی جابجایی سیم پیچیها
۱-۴) نرم افزار پیش بینی عیب و سیستم هوشمند
۱-۵) نتیجه گیری
فصل دوم
بررسی انواع روشهای نمونه برداری روغن و استخراج گازهای حل شده در روغن
۲-۱) بررسی انواع روشهای نمونه برداری بصورت OFF-LINE
۲-۲) روشهای آزماشگاهی برای استخراج گازهای داخل روغن بصورت OFF-LINE
۲-۳) روشهای همزمان نمونه برداری روغن و استخراج گازهای حل شده در آن به صورتON-LINE
۲-۴) نتیجه گیری
فصل سوم
آنالیز گازهای حل شده در روغن (DGA)
۳-۱) خصوصیات گازهای موردمطالعه برای عیب یابی ترانسها
۳-۳) بررسی احتمال وجود عیب برای گازهای مختلف برحسب PPM و تعیین یک تراز قابل قبول برای گازهای مختلف
۳-۳) نتیجه گیری
فصل چهارم
DGA به عنوان اساس روشهای عیب یابی برای ترانسفورماتور
۴-۱) عیبهای ترانسفورماتور
۴-۲) مطالعه و کاربرد روشهای نسبت
۴-۳) مطالعه و کاربرد روش گازهای کلیدی
۴-۴) نتیجه گیری
فصل پنجم
روشهای عیب یابی براساس DGA
۵-۱) فرضها
۵-۲) اساس قاعده (IEC GUIDELINE)
۵-۳) تفسیر و تعدیل سازی قواعد
۵-۴) قواعد عیب یابی یک عیب مخصوص
۵-۴-۱) شناسایی (OH, OHO)
۵-۴-۲) نسبت CO/CO2 به عنوان یک پایه عیب یابی
۵-۴-۳)قواعد دیگر شناسایی (CD, OHC)
۵-۴-۴) شناسایی حالت نرمال
۵-۵) بازنمایی و نتیجه گیری عیب های نامعلوم از یک سری داده
۵-۶) عیب یابی با استفاده از روش مثلث دوال (DUVALS STRAINGLE)
فصل ششم
کاربرد شبکه های عصبی در عیب یابی ترانسفورماتورها براساس DGA
۶-۱) مکانیسم شبکه عصبی برای عیب یابی ترانسفورماتورها
۶-۲) شبکه عصبی آموزشی چند لایه (MLP)
۶-۳) سیستم مونیتورینگ ON-LINE و OFF-LINE با بهره گیری از شبکه های عصبی
۶-۴) خصوصیات بیشتر داده های ورودی به شبکه
۶-۵) پردازش فازی
۶-۶) مقایسه و نتیجه گیری
نتیجه گیری و پیشنهادات
منابع و ماخذ
تعداد صفحات : 130
فرمت فایل :Word ورد doc
در اول فصل به معرفی نرم اافزار Neplan می پردازیم و در فصل بعدی به مقاله خود ادامه میدهیم
محیط کاری نرم افزار Neplan
این نرم افزار دارای واسط گرافیکی بسیار کاربر پسند می باشد که کار با نرم افزار را جهت ورود و تحلیل سیستم ها بسیار ساده کرده است . محیط کاری این نرم افزار دارای چند بخش اصلی است که در شکل زیر نشان داده شده اند .
فصل اول
معرفی نرم افزار Neplan
محیط کاری نرم افزار Neplan
بررسی قابلیتهای محاسباتی نرم افزار Neplan
تنظیم رله های جریان زیاد
حفاظت دیستانس
خازن گذاری
فصل دوم
محاسبات پخش بار
(Load Flow)
۱-۱- پارامترهای محاسباتی
۱-۲برگه Parameter
۱-۳برگه References
۱-۴برگهArea / Zone Control
پس از کشف نانولولههای کربنی توسط ایجیما و همکارانش بررسیهای بسیار زیادی بر روی این ساختارها در سایر علوم انجام شده است. این ساختارها به دلیل خواص منحصر به فرد مکانیکی و الکتریکی که از خود نشان دادهاند جایگزین مناسبی برای سیلیکون و ترکیبات آن در قطعات الکترونیکی خواهند شد. در اینجا به بررسی خواص الکتریکی نانولولههای کربنی زیگزاگ و نانولوله های گالیم نیترید که به عنوان یک کانال بین چشمه و دررو قرار داده شده پرداختیم و نحوهی توزیع جریان در ترانزیستورهای اثر میدانی را در شرایط دمایی و میدانهای مختلف بررسی کرده ایم. از آنجایی که سرعت خاموش و روشن شدن ترانزیستور برای ما در قطعات الکترونیکی و پردازندههای کامپوتری از اهمیت ویژهای برخوردار است، انتخاب نانولولهای که تحرک پذیری بالایی داشته باشد بسیار مهم است. نتایج بررسیها نشان میدهد تحرک پذیری الکترون در نانولولههای کربنی و گالیم نیترید متفاوت به ازای میدانهای مختلفی که در طول نانولولهها اعمال شود، مقدار بیشینهای را خواهد گرفت. بنا بر این در طراحی ترانزیستورها با توجه به مشخصههای هندسی ترانزیستور و اختلاف پتانسیلی که بین چشمه و دررو آن اعمال میشود باید نانولولهای را انتخاب کرد که تحرک پذیری مناسبی داشته باشد.
فهرست مطالب
چکیده................. ۱
مقدمه......... ۲
فصل اول: مقدمه ای بر کربن و اشکال مختلف آن در طبیعت و کاربردهای آن..........3
۱-۱ مقدمه............. 4
۱-۲ گونه های مختلف کربن در طبیعت........... ..4
۱-۲-۱ کربن بی شکل......... ..4
۱-۲-۲الماس.....................۵
۱-۲-۳گرافیت.................. ..5
۱-۲-۴ فلورن و نانو لوله های کربنی...............5
فصل۲:بررسی ساهتار هندسی و الکتریکی گرافیت و نانو لوله های کربنی و گالیم نیترید....8
۲-۱مقدمه.............................. ..9
۲-۲ساختار الکترونی کربن................... ..۹
۲-۲-۱اربیتال p۲کربن............ .10
۲-۲-۲روش وردشی.............. .10
۲-۳ساختار هندسی گرافیت و نانو لوله های کربنی و گالیم نیترید................. ۱۲
۲-۳-۱ساختار هندسی گرافیت....... ۱۲
۲-۳-۲ساختار هندسی نانو لوله کربنی و گالیم نیترید......... ۱۴
فصل ۳:انواع نانو لوله های کربنی و گالیم نیترید................ ۱۸
۳-۱مقدمه.................... ۱۹
۳-۲انواع نانو لوله ها....... ۱۹
۳-۲-۱نانولوله های تک جداره و چند جداره...... ۱۹
۳-۲-۲تفاوت نانولوله تک جداره و چند جداره......... ۲۰
۳- ۳بررسی خواص نانو لوله ها ...... ۲۰
۳-۳-۱خواص میکانیکی نانولوله ها........ ۲۱
۳-۳-۲خواص فیزیکی........ ۲۱
۳-۴کاربرد نانولوله های کربنی...... ۲۲
۳-۴-۱ترانزیستورها.......... ۲۲
۳-۴-۲حسگرها....... ۲۲
۳-۴-۳نمایشگرهای گسیل میدانی............. ۲۳
۳-۴-۴حافظههای نانولولهای........... ۲۴
۳-۴-۵استحکام دهی کامپوزیتها....... ۲۴
۳-۴-۶کاربردهای دیگر............. ۲۴
۳-۴-۷ ذخیره هیدروژن در نانو لوله ها......... ۲۵
۳-۴-۸ داشتنخاصیتابررسانایی............ ۲6
۳-۴-۹استحکامومقاومتکششیبالا.....................۲۶
۳-۵ روش های تولید نانو لوله های کربنی........۲۶
۳-۵-۱ قوس الکتریکی.......... ۲7
۳-۵-۲ رسوب گذاری بخار شیمیایی....... ۲9
۳-۵-۳روش PECVD....... ۳۰
۳-۵-۴تبخیر لیزری......... ۳1
۳-۵-۵ تولید نانولولههای کربنی با استفاده از عیوب بلوری....... ۳۲
۳-۶روش تولید نانولوله های گالیم نیترید.......... ۳۲
فصل۴:ترانزیستور های نانو لوله ای.....۳4
۴-۱مقدمه..... 35
۴-۲ ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله ای.........۳5
۴-۳ساختار الکتریکی نانو لوله ها کربنی....... ۳8
۴-۴ هدایت نانو لوله ها....... 40
۴- ۵ ساختار ترانزیستور نانو لوله ای......... 41
۴-۶ نانو لوله ها به عنوان فلزهای تک بعدی ........ ۴1
۴-۶-۱ مولکولهای محدود...... ۴3
۴-۶-۲ترازهای انرژی نانولوله ی کربنی و گالیم نیترید...... ۴4
۴-۷چگالی حالات در نانولولهی کربنی و گالیم نیترید...... ۴7
۴-۸ محاسبه جریان و مقاومت نانولولهی کربنی...... 50
۴- ۹ بررسی سرعت میانگین الکترون ها ،جریان،مقاومت و تحرک پذیری الکترون....... 50
۴-۹-۱بررسی توزیع سرعت در نانولولههای زیگزاگ.... 50
۴-۹-۲بررسی جریان الکتریکی در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا....... ۵2
۴-۹-۳بررسی مقاومت نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا.......۵2
۴-۹-۴ بررسی تحرک پذیری الکترون در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا.............۵3
فصل۵: بررسی نتایج بدست آمده از شبیه سازی ترانزیستور نانولوله ای کربنی و گالیم نیترید...۵4
۵-۱مقدمه....... ۵5
۵-۲ ترانزیستور نانولوله کربنی (۰،۴)و (۴،۴)...... ۵5
۵-۲-۱ باند انرژی ترانزیستور نانولوله کربنی (۴،۰) و(۴،۴)........ ۵6
۵-۲-۲بررسی جریان الکتریکی در نانولولهها کربنی.......۵6
۵-۳ ترانزیستور نانولوله کربنی (۰،۶)و (۶،۶).........57
۵-۳-۱ باند انرژی ترانزیستور نانولوله کربنی (۰،۶)و (۶،۶) .....۵7
۵-۳-۲بررسی جریان الکتریکی در نانولولهها کربنی(۰،۶)و(۶،۶) با ولتاژ گیت۱ولت......۵8
۵-۴ نانولوله گالیم نیترید...................59
۵-۶ انرژی کل و انرژی جنبشی..............۶1
نتیجه گیری........64
پیشنهادات.......65
منابع و مآخذ................66
چکیده انگلیسی..........70