دانلود تحقیق اثرات مخرب تداخل امواج الکترومغناطیسی در منابع تغذیة سویچینگ و روشهای کاهش آن

عنوان مقاله: اثرات مخرب تداخل امواج الکترومغناطیسی در منابع تغذیة سویچینگ و روشهای کاهش آن
قالب فایل: WORD
تعداد صفحات: 9 صفحه

فهرست مطالب:
مقدمه
1- پدیده انتشار امواج الکترو مغناطیسی و منابع تولید آن
2- کاهش دادن تداخل امواج الکترومغناطیسی در منبع ایجاد این امواج
1-2- افزودن خازن و سلف برای کاهش گرادیان جریان و ولتاژ
2-2- نوع سیم کشی
3-2- زمین کردن
4-2- استفاده از پردة محافظ برای جلوگیری از تشعشع امواج الکترومغناطیسی
5-2- پرده¬ی فلزی
3- اندازه گیری و استانداردهای معتبر دربارة تداخل امواج الکترومغناطیسی
4- نتیجه گیری
5- مراجع


* بخشی از ابتدای مقاله:

مسأله تداخل الکترومغناطیسی یا EMI در سیستمهای خطی در طیف فرکانسی کوچکتر از 20 کیلوهرتز در منابع تغذیه سوئیچینگ قابل چشم پوشی می باشد. اما با بالا رفتن فرکانس، هارمونیکهای با فرکانس بیشتر از فرکانس اصلی، ایجاد تداخل در باندهای رادیویی و مخابراتی می کنند. از آنجایی که منابع تغذیة سوئیچینگ امروزه در توانهای بالا هم کاربرد های وسیع پیدا کرده اند، این گونه از منابع تغذیه سوئیچینگ به عنوان یک منبع تولید نویز شدید و قوی برای مدارات مخابراتی شناخته می شوند. بنابراین با روشهایی مانند فیلتر کردن ورودی و خروجی و … باید میزان اثر تداخل الکترومغناطیسی را تا حد امکان کاهش داد.

1- پدیده انتشار امواج الکترو مغناطیسی و منابع تولید آن

مبدلهای قدرت سوئیچینگ بدلیل مزیت¬های زیادی که دارند، محبوبیت زیادی پیدا کرده اند و به عنوان جزء اصلی هر نوع دستگاهی که نیاز به تغذیه دارد، بکار می روند. اما با وجود این همه مزیت، یک عیب اساسی نیز در این منابع تغذیه سوئیچینگ وجود دارد و آن تولید نویز با فرکانس بالا است که بدلیل کلیدزنی سریع رگولاتورهای مبدل قدرت با توانهای فوق العاده زیاد، بوجود می آید. در بیشتر کاربردها، ضروری است که نویز را در خارج از منبع تغدیه فیلتر کنند و از انتشار آن با استفاده ازپرده های فلزی محافظی که روی دستگاه کشیده می شود، جلوگیری کنند.

منبع تولید امواج الکترومغناطیسی، تغییرات سریع میدانهای الکتریکی یا مغناطیسی است. منابع مهم تولید تداخل امواج الکترومغناطیسی، موتورهای الکتریکی (خصوصاً موتورهای با جاروبک و همچنین تکفاز)، رله ها و کلید¬هایی که با سرعت زیاد جریان الکتریکی را قطع و وصل می کنند، می باشند. منابع تغذیه سوئیچینگ نیز بدلیل عملکرد کلیدزنی آنها، یکی از منابع مهم بوجود آورندة تداخل امواج الکترومغناطیسی محسوب می شوند. در این منابع تغذیه سوئیچینگ، امواج الکترومغناطیسی بر اثر کلیدزنی سریع ترانزیستور و قطع و وصل سریع جریان ایجاد می شود. همچنین تلفات کلید زنی در زمان روشن کردن و یا خاموش کردن ترانزیستور ها نیز یکی از دلایل ایجاد امواج الکترومغناطیسی است، که در هوا منتشر شده و از آنجایی که دارای هارمونیک¬های با فرکانس بالایی هستند، بعنوان امواج الکترومغناطیسی مخرب عمل می کنند و روی سیستمهای مخابراتی اثرات نامطلوب می گذارند.

به همین دلیل منابع تغذیه سوئیچینگ را می بایست توسط جعبه های فلزی پوشاند تا از انتشار امواج الکترومغناطیسی در محیط، توسط منابع تغذیه سوئیچینگ جلوگیری شود. به عنوان نمونه می توان به منابع تغذیه سوئیچینگ در کامپیوتر¬های شخصی اشاره کرد که در یک جعبة فلزی از آن محافظت می شود، تا بتوان تا حد ممکن از تداخل الکترومغناطیسی توسط منبع تغذیه سوئیچینگ جلوگیری نمود. همچنین در طراحی منابع تغذیه سوئیچینگ تا حد ممکن باید دقت شود که با بکار گرفتن روشهای مناسب، امواج الکترومغناطیسی را که در فضای اطراف منتشر می شود کاهش داد.

برای درک چگونگی ایجاد تداخل امواج الکترومغناطیسی به یک مثال ساده اشاره می کنم. در مداری متشکل از یک منبع dc، یک کلید و یک مقاومت که بطور سری با هم بسته شده باشند، با باز بودن کلید فقط یک میدان ثابت الکتریکی بین سیم رفت و سیم برگشت ایجاد می شود.

با بستن کلید علاوه بر میدان الکتریکی بین دو سیم، یک میدان حلقوی مغناطیسی ناشی از عبور جریان از درون سیم نیز بوجود می آید...

برق 171. خانواده مبدل های PWM سوئیچ تکی سوئیچینگ نرم با اسنابر پسیو فاقد تلفات

خانواده مبدل های PWM سوئیچ تکی سوئیچینگ نرم با اسنابر پسیو فاقد تلفاتمهدی محمدی ، احسان ادیب ، محمد روح اله یزدانیچکیدهجهت افزایش چگالی تبدیل برق ، کاهش تلفات سوییچینگ و تداخل الکترومغناطیسی (EMI) و ارائه منطقه عملیاتی امن برای یک سوئیچ ، استفاده از مدارات اسنابر که شرایط سوئیچینگ نرم را فراهم می کنند ، اجتناب ناپذیر است.  در میان انواع مختلف مدارات اسنابر ، اسنابرهای پسیو ، به دلیل سادگی و استحکام شان ، برتری دارند. این مدارات اسنابر می توانند شرایط سوئیچینگ نرم بدون هیچ سوئیچ اضافی را به دست آورند. بنابراین ، درایو گیت و مدارهای کنترل ساده باقی می مانند. در این مقاله ، یکمدار اسنابر پسیو فاقد تلفات ساده که می تواند در مبدل های ایزوله شده و نشده اعمال گردد معرفی شده است.  مدار اسنابر پیشنهادی ، شرایط سوئیچینگ جریان صفر و سوئیچینگ ولتاژ صفر را به ترتیب در لحظات روشن و خاموش کردن فراهم می کنند. اسنابر پیشنهادی بر روی یک مبدل بوست اعمال گشته و تجزیه و تحلیل شده است. همچنین ، به منظور اثبات اثربخشی مدار اسنابر ارائه شده از بهره وری مبدل و دیدگاه های EMI، یک مبدل بوست نمونه اولیه 200 واتی پیاده سازی شده است  و نتایج تجربی ارائه شده اند. همچنین ، نتایج شبیه سازی از یک مبدل   سوییچ نرم با سلول  اسنابر پیشنهادی ارائه شده اند. 
کلمات کلیدی : بازدهی ؛ تداخل الکترومغناطیسی   ؛ اسنابر پسیو فاقد تلفات ، سوییچینگ نرم.