برق 9. فرضیه بمب های الکترومغناطیسی
فرضیه بمب های الکترومغناطیسیچکیدههدایت انرژی توسط بشر یک داستان تخیلی علمی نمی باشد. این تسلیحات واقعی می باشند که در سناریو های واقعی مورد آزمایش قرار می گیرند... و کشورهایی که آمادگی استفاده از این انرژی های هدایت شده را ندارند از حرکت باز می ایستند و یا بدتر با استفاده از تجهیزات سنتی و از کار افتاده جنگی ، متحمل شکست می گردند. آن ها پیشرفتی نداشته و همانند تمدنی می گردند که همچنان به تیر و کمان خود وابسته بوده و در برابر تفنگ و گلوله و بمب به زانو در می آیند.در این فصل ، نظریه HPM و اصول طراحی کلی که در فصل قبل معرفی شد ، مفاهیم مربوط به بمب های الکترونیکی را تعریف می کند. بمبل الکترونیکی ما شامل منبع توان HPM ، موج بر مناسب و یک آنتن /الکترود بازتابنده می باشد.پالس هایی که توسط منبع HPM ایجاد می گردد به صورت امواج مستطیلی شکل می باشد.
برق 115. مدل کردن و کنترل فازی درایو DC
مدل کردن و کنترل فازی درایو DC
چکیده: یک درایو DC صنعتی (22 kW)، با کنترل کننده ی فازی شبیه سازی شده است. دو مدل (خطی و غیر خطی) و دو کنترل کننده (PID و fuzzy) نیز مورد بررسی قرار گرفته اند. استفاده از کنترل کننده ی fuzzy برای عملکرد درایو DC موفقیت آمیز بوده است.
برق 2. بکارگیری پروتکل های اتوماسیون خانگی برای نظارت بر ظرفیت ساختمان های هوشمند
بکارگیری پروتکل های اتوماسیون خانگی برای نظارت بر ظرفیت ساختمان های هوشمندچکیدهبازبینی و کنترل ظرفیت های الکتریکی برای مدیریت انرژی بر مبنای تقاضا در شبکه های هوشمند، مهم می باشد. پروتکل های اتوماسیون خانگی ( HA) همانند X10 و Insteon ، کنترل ظرفیت قابل برنامه ریزی را برای چندین سال ایجاد کرده و در سطح گسترده ای در زمینه آزمایشی شبکه های هوشمند اولیه بکار گرفته می شوند. در حالی که پروتکل های HA شامل نقش های بازبینی اصلی می باشند، محدودیت پهنای باند زیاد (
برق 25. وارد نمودن تغییرات کوتاه مدت باد در توزیع اقتصادی بار
وارد نمودن تغییرات کوتاه مدت باد در توزیع اقتصادی بار
چکیده- تصادفی بودن سرعت باد در یک مقدار متوسط پایدار و دریک دوره¬ی کوتاه مدت عموماً Short duration wind variation گفته می¬شود. این مقاله اثر واردسازی ظرفیتهای قابل توجه تولید بادی را در مبحث توزیع بهینه¬ی بار، در شرایطی که منبع بادی به تغییرات کوتاه مدت حساس است، بررسی می¬نماید. فرمول¬بندی تحلیلی مساله¬ی توزیع اقتصادی بار (ELD )، با در نظر گرفتن تولید توان بادی، برای دو مورد که در یکی تلفات توان در نظر گرقته می¬شود و در دیگری از این تلفات صرف نظر می-شود، به صورت جداگانه بررسی شده است. در هر یک از این فرمول¬بندی¬ها، تاثیر تغییرات کوتاه مدت بار به عنوان یک مقدار اضافه شده در نظر گرفته شده است و از این طریق از پیچیدگی مدلهای تصادفی اجتناب شده است. مطالعه¬ی موردی سه ژنراتوری و 20 ژنراتوری جهت مشخص نمودن جنبه¬های متمایز مساله¬ی ELD مورد بحث قرار گرفته¬اند. در ابتدا، هزینه¬ی بهینه، تلفات و سیستم- λ در سرعت¬های متوسط پایدار کوتاه مدت باد ارائه شده¬اند. پس از آن، حساسیت این سه معیار به سطوح متفاوت تغییرات کوتاه مدت سرعت باد بحث شده¬است.
برق 19. جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری
جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتریچکیده در این مقاله، جمع کننده کامل (FA) نوینی ارائه می‌گردد که برای عملکرد با توانهای بسیار پایین بهینه سازی شده است. مدار مذکور، بر پایه گیتهای XOR اصلاح شده‌ای طراحی گشته که با هدف کمینه سازی مصرف توان در ناحیه زیرآستانه‌ای عمل می کنند. نتایج شبیه سازی شده با مدلهای استاندارد CMOS 65 نانومتر انجام شده است. نتایج شبیه سازی، یک بهبود 5 تا 20 درصدی را در بازه فرکانسی 1Khz تا 20MHz و ولتاژهای تغذیه زیر 0.3V نشان میدهد. مقدمه تغییر مقیاس ولتاژ تغذیه یکی از موثرترین راهها در کاهش مصرف توان مدارهای دیجیتال است. کارایی این روش بعلت وجود رابطه درجه دوم میان مصرف توان دینامیک و ولتاژ تغذیه می باشد. اما در این روش، عملکرد مدار به خاطر رابطه معکوس تاخیر مدار با سطح جریان کاهش می یابد. به همین علت، ولتاژ آستانه را در فرایندهای زیرمیکرونی عمیق برای رفع این مشکل کاهش می دهند. کاهش ولتاژ آستانه، منجر به افزایش نمایی جریان زیرآستانه می‌گردد که امکان استفاده از این ناحیه (زیرآستانه) را در مدارهای منطقی ارزیابی - با کران نویز قابل قبول - می دهد. بدون اعمال روشهای خاص، عملکرد زیرآستانه ای سبب کاهش سرعت پاسخگویی (به سبب کاهش جریان) می شود. جریان مورد ارزیابی در این حالت، جریانی است که در ولتاژ گیت –سورس کوچکتر یا مساوی ولتاژ آستانه و ولتاژ تغذیه نزدیک به ولتاژ آستانه رخ می دهد. همانطور که در شکل 1 مشاهده می شود، نسبت I_on (وقتی ترانزیستور در حال ارزیابی است) به I_off (وقتی ولتاژ گیت-سورس صفر یا نزدیک صفر است) در مقایسه با Ion/Ioff در ولتاژهای تغذیه‌ی بالا، کوچکتر است. با این حال، در کاربردهای با مصرف توان بسیار پایین (مثل ایمپلنتها یا حسگرهای بدون سیم)، سرعت کاری دغدغه اصلی طراحی نیست، زیرا قیود پهنای باندی در این موارد با مسامحه اعمال می گردد. برای این کاربردها، مهمترین هدف طراحی بهینه سازی بمنظور مصرف توان پایین است. جمع دو بیت A و B با بیت نقلی Cin، بیت SUM (مجموع) و بیت خروجی نقلی Cout را تولید می‌کند.