زپوها

دانلود کتاب، جزوه، تحقیق | مرجع دانشجویی

زپوها

دانلود کتاب، جزوه، تحقیق | مرجع دانشجویی

دانلود تحقیق رشته برق ترانزیستور اثر میدانی

 دانلود تحقیق رشته برق ترانزیستور اثر میدانی


عنوان مقاله: ترانزیستور اثر میدانی
قالب فایل: WORD
تعداد صفحات: 42 صفحه

فهرست مطالب:

● مقدمه
● بخش اول: JFET ها
ساختمان و مشخصه‌های JFETها
مقاومت کنترل ولتاژ
قطعات کانال p
نمادها
خلاصه

● بخش دوم: MOSFET ها
MOSFET نوع تهی
اساس ساختمان
کار قطعه و مشخصه‌های آن
MOSFET نوع تهی کانال p
نمادها، ورقه‌های مشخصه، و ساختمان بدنه
MOSFET نوع افزایشی
اساس ساختمان
اساس کار و مشخصه‌ها
MOSFET های نوع افزایشی کانال p


* برای دریافت مقدمه مقاله (با حجم بسیار کم) اینجا کلیک کنید.

خرید و دانلود  دانلود تحقیق رشته برق ترانزیستور اثر میدانی


دانلود تحقیق رایگان ترانزیستور دوقطبی پیوندی

 دانلود تحقیق رایگان ترانزیستور دوقطبی پیوندی


رانزیستور دوقطبی پیوندی 
 در ترانزیستور دو قطبی پیوندی با اعمال یک جریان به پایه بیس جریان عبوری از دو پایه کلکتور و امیتر کنترل می‌شود. ترانزیستورهای دوقطبی پیوندی در دونوع npn و pnp ساخته می‌شوند. بسته به حالت بایاس این ترانزیستورها ممکن است در ناحیه قطع، فعال و یا اشباع کار کنند. سرعت بالای این ترانزیستورها و بعضی قابلیت‌های دیگر باعث شده که هنوز هم از آنها در بعضی مدارات خاص استفاده شود. امروزه بجای استفاده از مقاومت وخازن و... در مدارات مجتمع تمامآازترانزیستوراستفاده می‌کنند 
ترانزیستور پیوند اثر میدانی (JFET) 
در ترانزیستورهای ترانزیستور پیوند اثر میدانی (JFETT) در اثر میدان، با اعمال یک ولتاژ به پایه گیت میزان جریان عبوری از دو پایه سورس و درین کنترل می‌شود. ترانزیستور اثر می‌دانی بر دو قسم است: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type. از دیدگاهی دیگر این ترانزیستورها در دو نوع افزایشی و تخلیه‌ای ساخته می‌شوند. نواحی کار این ترانزستورها شامل «فعال» و «اشباع» و «ترایود» است این ترانزیستورها تقریباً هیچ استفاده‌ای ندارند چون جریان دهی آنها محدود است و به سختی مجتمع می‌شوند. 

خرید و دانلود  دانلود تحقیق رایگان ترانزیستور دوقطبی پیوندی


برق 96. تعیین مشخصه های اینورتر CMOS غیر-معمولی جدید، ساخته شده از یک NMOSFET بدون اتصال و یک ترانزیستور کنترل شده

 برق 96. تعیین مشخصه های اینورتر CMOS غیر-معمولی جدید، ساخته شده از یک NMOSFET بدون اتصال و یک ترانزیستور  کنترل شده


تعیین مشخصه های اینورتر CMOS غیر-معمولی جدید، ساخته شده از یک NMOSFET بدون اتصال و یک ترانزیستور  کنترل شده
    چکیده__در این مقاله، ما یک اینورتر CMOS غیر-معمولی ساخته شده از یک NMOSFET بدون اتصال (JL) و یک ترانزیستور  را با فرآیند ساده و چگالی بالای مدار مجتمع، ارایه می دهیم. در اینورتر CMOS غیر-معمولی، به ترتیب، NMOSFET JL به عنوان تحریک و ترانزیستور   به عنوان یک بار، عمل می کند. ما بنابر اطلاعات اندازه گیری شده ی ترانزیستور  ، خط بار اینورتر CMOS را ترسیم کرده و دریافتیم که ترانزیستور   می تواند در مدارات CMOS به منظور بهبود مسایل مربوط به CMOS های مرسوم امروزی، استفاده شود. به علاوه، کاهش سطح 46.1% نیز دست اور دیگر ما است.

خرید و دانلود  برق 96. تعیین مشخصه های اینورتر CMOS غیر-معمولی جدید، ساخته شده از یک NMOSFET بدون اتصال و یک ترانزیستور  کنترل شده