جزوه کامل مدار مجتمع خطی CMOS - کارشناسی ارشد - استاد خانم دکتر بابایی
فهرست مطالب
مقدمه ای در مورد ترانزیستور ماسفت
بررسی ساختار ترانزیستور ماسفت
اعمال ولتاژ به گیت
نحوه عملکرد ترانزیستور MOSFET
معادله جریان ولتاژ ترانزیستور MOSFET
خازن های ترانزیستور MOS
آثار کاهش ابعاد ترانزیستور
پدیده اتصال دو ناحیه تهی Punch-through
پدیده کاهش ولتاژ آستانه به صورت القایی توسط درین
اشباع شدن سرعت حامل ها و تأثیر آن بر معادله جریان
هدایت در زیر آستانه
محاسبه تمامی مقادیر ترانزیستور MOS
سورس مشترک
تقویت کننده با بار دیودی
تقویت کننده با بار فعال
ساختار سورس مشترک با مقاومت RS در گیت
محاسبه ROUT
درین مشترک
گیت مشترک
محاسبه بهره ولتاژ و مقادیر مختلف مداری در حالت های مختلف
آرایش کاسکودی
منابع جریان
آینه جریان
آینه جریان کاسکودی
تقویت کننده تفاضلی
تحلیل مد تفاضلی
زوج تفاضلی با MOS
زوج تفاضلی با منبع جریان
تحلیل مد تفاضلی و مد مشترک
فیدبک
خلاصه، نکات کلیدی، راهنمای حل بخش های مشکل و حل تمرینات حل نشده به پیوست در انتهای جزوه اضافه شده اند.
دانلود تحقیق آشنایی با ترانزیستور و انواع آن
عنوان مقاله: آشنایی با ترانزیستور و انواع آن
قالب فایل: WORD
تعداد صفحات: 7 صفحه
فهرست مطالب:
● کاربرد
● عملکرد
● انواع
ترانزیستور دوقطبی پیوندی
ترانزیستور اثر میدانی(JFET)
ترانزیستور اثر میدانی(MOSFET)
ترانزیستور دوقطبی پیوندی
● انواع ترانزیستور پیوندی
pnp
npn
● ساختمان ترانزیستور پیوندی
● طرز کار ترانزیستور پیوندی
● نحوه اتصال ترازیستورها
اتصال بیس مشترک
اتصال امیتر مشترک
اتصال کلکتور مشترک
* بخشی از ابتدای مقاله:
کاربرد:
ترانزیستور هم در مدارات الکترونیک آنالوگ و هم در مدارات الکترونیک دیجیتال کاربردهای بسیار وسیعی دارد. در آنالوگ می‌توان از آن به عنوان تقویت کننده یا تنظیم کننده ولتاژ (رگولاتور) و ... استفاده کرد. کاربرد ترانزیستور در الکترونیک دیجیتال شامل مواردی مانند پیاده سازی مدار منطقی، حافظه، سوئیچ کردن و ... میشود.به جرات می توان گفت که ترانزیستور قلب تپنده الکترونیک است.
عملکرد:
ترانزیستور از دیدگاه مداری یک عنصر سه‌پایه می‌‌باشد که با اعمال یک سیگنال به یکی از پایه‌های آن میزان جریان عبور کننده از دو پایه دیگر آن را می‌توان تنظیم کرد. برای عملکرد صحیح ترانزیستور در مدار باید توسط المان‌های دیگر مانند مقاومت‌ها و ... جریان‌ها و ولتاژهای لازم را برای آن فراهم کرد و یا اصطلاحاً آن را بایاس کرد.
دانلود تحقیق آشنایی با ترانزیستور
عنوان مقاله: آشنایی با ترانزیستور
قالب فایل: WORD
تعداد صفحات: 7 صفحه
فهرست مطالب:
● کاربرد
● عملکرد
● انواع
ترانزیستور دوقطبی پیوندی
ترانزیستور اثر میدانی (JFET)
ترانزیستور اثر میدانی (MOSFET)
● انواع ترانزیستور پیوندی
pnp
npn
● ساختمان ترانزیستور پیوندی
● طرز کار ترانزیستور پیوندی
● نحوه اتصال ترازیستورها
اتصال بیس مشترک
اتصال امیتر مشترک
اتصال کلکتور مشترک
* بخشی از ابتدای مقاله:
کاربرد
ترانزیستور هم در مدارات الکترونیک آنالوگ و هم در مدارات الکترونیک دیجیتال کاربردهای بسیار وسیعی دارد. در آنالوگ می‌توان از آن به عنوان تقویت کننده یا تنظیم کننده ولتاژ (رگولاتور) و ... استفاده کرد. کاربرد ترانزیستور در الکترونیک دیجیتال شامل مواردی مانند پیاده سازی مدار منطقی، حافظه، سوئیچ کردن و ... میشود.به جرات می توان گفت که ترانزیستور قلب تپنده الکترونیک است.
عملکرد
ترانزیستور از دیدگاه مداری یک عنصر سه‌پایه می‌‌باشد که با اعمال یک سیگنال به یکی از پایه‌های آن میزان جریان عبور کننده از دو پایه دیگر آن را می‌توان تنظیم کرد. برای عملکرد صحیح ترانزیستور در مدار باید توسط المان‌های دیگر مانند مقاومت‌ها و ... جریان‌ها و ولتاژهای لازم را برای آن فراهم کرد و یا اصطلاحاً آن را بایاس کرد.
انواع
دو دسته مهم از ترانزیستورها BJT (ترانزیستور دوقطبی پیوندی) (Bypolar Junction Transistors) و FET (ترانزیستور اثر میدانی) (Field Effect Transistors) هستند. FET ها نیز خود به دو دستهٔ Jfetها (Junction Field Effect Transistors) و MOSFETها (Metal Oxide SemiConductor Field Effect Transistor) تقسیم می‌شوند.
ترانزیستور دوقطبی پیوندی
در ترانزیستور دو قطبی پیوندی با اعمال یک جریان به پایه بیس جریان عبوری از دو پایه کلکتور و امیتر کنترل میشود. ترانزیستورهای دوقطبی پیوندی در دونوع npn و pnp ساخته می‌شوند. بسته به حالت بایاس این ترانزیستورها ممکن است در ناحیه قطع، فعال و یا اشباع کار کنند. سرعت بالای این ترانزیستورها و بعضی قابلت‌های دیگر باعث شده که هنوز هم از آنها در بعضی مدارات خاص استفاده شود.
ترانزیستور اثر میدانی(JFET)
در ترانزیستور اثر میدانی با اعمال یک ولتاژ به پایه گیت میزان جریان عبوری از دو پایه سورس و درین کنترل میشود. ترانزیستور اثر میدانی بر دو قسم است: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type. از دیدگاهی دیگر این ترانزیستورها در دو نوع افزایشی و تخلیه‌ای ساخته می‌شوند.نواحی کار این ترانزستورها شامل "فعال" و "اشباع" و "ترایود" است این ترانزیستورها تقریباً هیچ استفاده‌ای ندارند چون جریان دهی آنها محدود است و به سختی مجتمع می‌شوند.
ترانزیستور اثر میدانی(MOSFET)
این ترانزیستورها نیز مانند Jfetها عمل میکنند با این تفاوت که جریان ورودی گیت آنها صفر است. همچنین رابطه جریان با ولتاژ نیز متفاوت است. این ترانزیستورها دارای دو نوع PMOS و NMOS هستند که تکنولوژی استفاده از دو نوع آن در یک مدار تکنولوژی CMOS نام دارد. این ترانزیستورها امروزه بسیار کاربرد دارند زیرا براحتی مجتمع می‌شوند و فضای کمتری اشغال میکنند. همچنین مصرف توان بسیار ناچیزی دارند.
به تکنولوژی‌هایی که از دو نوع ترانزیستورهای دوقطبی و Mosfet در آن واحد استفاده میکنند Bicmos می‌گویند
البته نقطه کار این ترنزیستورها نسبت به دما حساس است وتغییر میکند.بنابراین بیشتر در سوئیچینگ بکار می‌‌روند...
فایل پاورپوینت ارائه کلاسی IGBT )Insulated gate bipolar transistor)
ترانزیستور دو قطبی با درگاه عایق‌شده یا IGBT (کوتاه شده عبارت انگلیسی Insulated gate bipolar transistor) جز نیمه هادی قدرت بوده و در درجه اول به عنوان یک سوئیچ الکترونیکی استفاده می شود که در دستگاه های جدید برای بازده بالا و سوئیچینگ سریع استفاده میشود. این سوئیچ برق در بسیاری از لوازم مدرن از جمله خودروهای برقی، قطار، یخچال ها، تردمیل، دستگاه های تهویه مطبوع و حتی سیستم های استریو و تقویت کننده هااستفاده میشود. همچنین در ساخت انواع اینورترها،ترانسهای جوش و UPS کاربرد دارد.
در فرکانسهای بالای کلیدزنی از یک ترانزیستور جهت کنترل سطح ولتاژ DC استفاده میشود. با بالا رفتن فرکانس ترانزیستور دیگر خطی عمل نمی‌کند و نویز مخابراتی شدیدی را با توان بالا تولید میکند.به همین سبب در فرکانس کلیدزنی بالا از المان کم مصرف power MOSFET استفاده میشود. اما با بالا رفتن قدرت،تلفات آن نیز زیاد میشود.المان جدیدی به بازار آمده است که تمامی مزایای 2قطعه فوق را دارد و دیگر معایب BJT و POWER MOSFET را ندارد.این قطعه جدید IGBT نام دارد.در طی سالهای اخیر بدلیل ارزانی و مزایای این قطعه از آن استفاده زیادی شده است.
IGBT (ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق شده) یک نیمه هادی جدید و کاملاً صنعتی است که از ترکیب 2 نوع ترانزیستور BJT و MOSFET ساخته شده است.بطوریکه از دید ورودی شما یک MOSFET را میبینید و از نظر خروجی یک BJT. BJTها و MOSFETها دارای خصوصیاتی هستند که از نقطه نظرهایی یکدیگر را تکمیل میکنند.
فهرست مطالب:
مقدمهاساس IGBTمزایا و معایب IGBTمقایسه IGBT با MOSFET و BJTشباهت های IGBT با سایر افزاره هاTrade-offساختار IGBTPT و NPTمقایسه PT و NPTعملکرد IGBTمشخصه خروجیمشخصه انتقالینرم افزارهای شبیه سازی ادواتتوضیحاتی در خصوص Silvacoمقالات مطالعه شدهمنابع
همچنین کلیه فایل های مربوط به پروژه اعم از فایل اصلی پاورپوینت، رفرنس ها و مقالات و فایل اجرایی برنامه سیلواکو در پروژه قرار گرفته است.
دانلود تحقیق رشته برق ترانزیستور اثر میدانی
عنوان مقاله: ترانزیستور اثر میدانی
قالب فایل: WORD
تعداد صفحات: 42 صفحه
فهرست مطالب:
● مقدمه
● بخش اول: JFET ها
ساختمان و مشخصه‌های JFETها
مقاومت کنترل ولتاژ
قطعات کانال p
نمادها
خلاصه
MOSFET نوع تهی
اساس ساختمان
کار قطعه و مشخصه‌های آن
MOSFET نوع تهی کانال p
نمادها، ورقه‌های مشخصه، و ساختمان بدنه
MOSFET نوع افزایشی
اساس ساختمان
اساس کار و مشخصه‌ها
MOSFET های نوع افزایشی کانال p
* برای دریافت مقدمه مقاله (با حجم بسیار کم) اینجا کلیک کنید.