جزوه کامل مدار مجتمع خطی CMOS - کارشناسی ارشد - استاد خانم دکتر بابایی
فهرست مطالب
مقدمه ای در مورد ترانزیستور ماسفت
بررسی ساختار ترانزیستور ماسفت
اعمال ولتاژ به گیت
نحوه عملکرد ترانزیستور MOSFET
معادله جریان ولتاژ ترانزیستور MOSFET
خازن های ترانزیستور MOS
آثار کاهش ابعاد ترانزیستور
پدیده اتصال دو ناحیه تهی Punch-through
پدیده کاهش ولتاژ آستانه به صورت القایی توسط درین
اشباع شدن سرعت حامل ها و تأثیر آن بر معادله جریان
هدایت در زیر آستانه
محاسبه تمامی مقادیر ترانزیستور MOS
سورس مشترک
تقویت کننده با بار دیودی
تقویت کننده با بار فعال
ساختار سورس مشترک با مقاومت RS در گیت
محاسبه ROUT
درین مشترک
گیت مشترک
محاسبه بهره ولتاژ و مقادیر مختلف مداری در حالت های مختلف
آرایش کاسکودی
منابع جریان
آینه جریان
آینه جریان کاسکودی
تقویت کننده تفاضلی
تحلیل مد تفاضلی
زوج تفاضلی با MOS
زوج تفاضلی با منبع جریان
تحلیل مد تفاضلی و مد مشترک
فیدبک
خلاصه، نکات کلیدی، راهنمای حل بخش های مشکل و حل تمرینات حل نشده به پیوست در انتهای جزوه اضافه شده اند.
برق 113. LECTOR: روشی برای کاهش نشتی در مدارات CMOS
LECTOR: روشی برای کاهش نشتی در مدارات CMOS
چکیده___در مدارات سیموس،کاهش ولتاژ آستانه به دلیل مقیاس بندی ولتاژ،منتهی به جریان نشتی زیرآستانه و در نتیجه تلفات توان ایستا (استاتیک) می شود. در اینجا ما روشی تازه به نام LECTOR برای طراحی گیت های سیموس که به طور قابل توجهی جریان نشتی را بدون افزایش تلفات توان پویا (دینامیک) کاهش می دهد، ارایه می کنیم. در روش پیشنهاد شده ما،دو ترنزیستور کنترل نشتی (یکی نوع n و دیگری نوع p) در درون دروازه های منطقی که ترمینال گیت هر ترانزیستور کنترل نشتی (LCT) توسط منبع گیت دیگر کنترل می شود را معرفی می کنیم. در این آرایش،یکی از LCTها (منظور ترانزیستورهای کنترل نشتی) همیشه به ازای هر ترکیب ورودی،نزدیک به ولتاژ قطع می باشد. این مقاومت مسیر Vdd به گراند را کاهش داده،که این منجر به کاهش چشمگیر جریان نشتی می شود. نت لیست سطح-گیت مدار داده شده،نخست به یک پیاده سازی گیت پیچیده ی CMOS استاتیک تبدیل شده،و سپس LCTها به منظور دستیابی به یک مدار کنترل نشتی معرفی می شوند. ویژگی قابل توجه LECTOR این است که در هر دو حالت فعال و غیرفعال مدار،فعال می باشد که این منجر به کاهش نشتی بهتری نسبت به روش های دیگر می شود. همچنین،روش ارایه شده، دارای محدودیت های کمتری نسبت به دیگر روش های موجود برای کاهش نشتی دارد. نتایج تجربی نشان دهنده ی یک کاهش نشتی متوسط 79.4 درصدی را برای مدارات محک(بنچ مارک) MCNC’91 نشان می دهند.
Design and Modeling of Millimeter-Wave CMOS Circuits for Wireless Transceivers
طراحی و مدلسازی مدارهای CMOS موج میلی متری برای فرستنده گیرنده های بی سیم مبتنی بر تکنولوژی های زیر 100 نانومترDesign and Modeling of Millimeter-Wave CMOS Circuits
for Wireless Transceivers
برق 119. مبدل DC-DC بوست - بوست یا باک - بوست تک سلفه مجتمع با کنترل توان - توزیعی
مبدل DC-DC بوست - بوست یا باک - بوست تک سلفه مجتمع با کنترل توان - توزیعی
چکیده: این مقاله یک مبدل DC-DC بوست - بوست یا باک - بوست خروجی دوگانه تک سلفه ( SIDO) کاملاً مجتمع با کنترل توان – توزیعی را ارائه می دهد. این کانورتر تحت کنترل مد ولتاژ برای داشتن امنیت بهتر در مقابل نویز کار می کند و از سوئیچهای قدرت/اجزای جبرانسازی خارجی کمتری برای کاهش هزینه استفاده می کند و بنابراین برای کاربردهای سیستم های با تراشه (SoC) مناسب است. کانورتر SIDO پیشنهادی در تکنولوژی TSMC .35 µm 2P4M CMOS با ولتاژ منبع ورودی 2.7-3.3 ولت ساخته شده است. خروجی اول VO1 می تواند در هر یک از مدهای باک یا بوست عمل کند (ولتاژ خروجی بین 2.5 تا 5ولت)، در حالیکه خروجی دوم VO2 می تواند فقط در مد بوست عمل کند (ولتاژ خروجی 3.6 ولت).
حل المسائل طراحی مدار های مجتمع آنالوگ CMOS دکتر بهزاد رضوی
بی شک همه ی دانشجویان رشته برق با پروفسور بهزاد رضوی آشنا هستند. کتاب طراحی مدارهای مجتمع CMOS آنالوگ از جمله برترین کتاب های ایشان می باشد. این کتاب بهترین مرجع برای درس مدارهای مجتمع کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک می باشد و دانلود این کتاب را به همه ی دانشجویان عزیز پیشنهاد می کنیم. اینک در این پست حل تمرین کتاب طراحی مدارهای مجتمع CMOS آنالوگ دکتر رضوی برای شما دانشجویان عزیز آماده دانلود می باشد. سر فصل های این کتاب به شرح زیر است : ۱- مقدمه ای بر طراحی انالوگ ۲- فیزیک افزاره MOS ۳- تقویت کننده های یک طبقه ۴- تقویت کننده های تفاضلی ۵- آینه های جریان فعال و غیر فعال ۶- پاسخ فرکانسی تقویت کننده ها ۷- نویز ۸- فیدبک ۹- تقویت کننده های عملیاتی ۱۰- پایداری و جبران سازی فرکانسی ۱۱- مراجع Bandgap ۱۲- معرفی مدارهای سوئیچ خازنی ۱۳- غیر خطینگی و ناهمسانی ۱۴- اسیلاتورها ۱۵- حلقه های قفل شده در فاز PLL ۱۶- اثرات کانال کوتاه و مدل افزاره ۱۷- CMOS Processing Technology ۱۸- Layout and Packaging